高透腔面大功率650 nm红光半导体激光器

Wei XIA,De-ying MA,Ling WANG,Shu-qiang LI,Qing-min TANG,Xin ZHANG,Qi LIU,Zhong-xiang REN,Xian-gang XU

Zhongguo Jiguang/Chinese Journal of Lasers（2007）

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摘要

利用石英闭管法对金属有机化学气相沉积(MOCVD)外延生长的应变量子阱(MQW)650 nm AlGaInP/GaInP材料进行选择区域扩Zn,使扩Zn区域的光致发光(PL)谱的峰值蓝移达175 meV,形成对650 nm波长激光器的高透腔面,有益于减少激光器腔面光吸收,增加了激光器退化的光学灾变损伤(COD)阈值.后工艺制作出条宽100 μm,腔长1 mm的增益导引激光器,实现了红光半导体激光器的大功率输出.激光器阈值电流为382 mA,在2.28 A工作电流时达到光学灾变损伤阈值,最大连续输出光功率1.55 W,外微分量子效率达到0.82 W/A.

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关键词

650 nm,High power,Lasers,Red semiconductor laser,Transparent window

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