RTD与HEMT在InP衬底上的单片集成

Ma Long,Zhang Yang,Dai Yang,Yang Fuhua, Zeng Yiping,Wang Liangchen

CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS（2007）

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摘要

在半绝缘的50nm InP衬底上采用分子束外延的方法生长了RTD与HEMT的集成材料结构.RTD室温下峰谷电流比最高达到18.39,阻性截止频率大于20.05GHz.栅长为1μm的HEMT截止频率为19.8GHz,最大跨导为237mS/mm.由多个RTD串联形成的多峰值逻辑以及HEMT栅压调节RTD电流的特性也得以验证.

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关键词

resonant tunneling diodes,high electron mobility transistors,inp substrates,monolithic integration

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