不同淀积厚度InAs量子点的喇曼散射

Guanjie Zhang,Bo Xu,Yonghai Chen,Jianghong Yao,Yaowang Lin,Yongchun Shu,Biao Pi,Xiaodong Xing,Rubin Liu,Qiang Shu,Zhanguo Wang,Jingjun Xu

Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors（2006）

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摘要

利用喇曼散射方法在77K温度下对不同淀积厚度的InAs/GaAs量子点材料进行了研究.在高于InAs体材料LO模的频率范围内观察到了量子点的喇曼特征峰,分析表明应变效应是影响QD声子频率的主要因素.实验显示,随着量子点层淀积厚度L的增加,InAs量子点的声子频率由于应变释放发生红移.在加入InAlAs应变缓冲层的样品中,类AlAs声子峰随L增大发生了蓝移,从侧面证实了InAs量子点层的应变释放过程.

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关键词

Confinement effect,Quantum dots,Raman scattering,Strain effect

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