多电流路径抑制片上电感电流拥挤效应

Ke Liu,Hongyan Jian,Chenling Huang,Zhangwen Tang,Hao Min

Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors（2006）

引用 7|浏览8

暂无评分

摘要

从电磁理论出发解释了片上电感电流分配的原因,得出小横界面积金属的趋肤效应弱,大的金属线宽和相邻金属间距比的偶耦合临近效应小的结论.采用4层金属的0.35μm标准CMOS工艺制造片上电感,将差分电感的单电流路径,分成多电流路径并联,在保持了电感的电学对称性的前提下,抑制了电感的电流拥挤效应,电感的最大品质因数提高了40%,同时降低了其自谐振频率.

查看译文

关键词

Multi-current-path,On-chip inductor,Proximity effect,Quality factor,Self-resonant frequency,Skin effect

AI 理解论文

溯源树

样例

生成溯源树，研究论文发展脉络

Chat Paper

正在生成论文摘要