电流模式Poly-Si TFT AM-OLED像素单元的模拟设计

模拟和分析了作为电流模式多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)有源矩阵有机发光二极管(AM-LOED)像素单元的poly-Si TFT/OLED耦合对的J-V特性和poly-Si TFT电流镜的I-V特性.使用Mathcad数学计算软件和AIM-SPICE电路模拟工具,分别对OLED和TFT耦合对和TFT电流镜进行了模拟计算.理论上,采用电流模式的poly-Si TFT AM-OLED可以解决器件间的不一致性问题.无论迁移率的不一致还是阈值电压Vth的差异都可以被补偿,从而使灰度的一致性得以改善.因为采用了倒置的OLED结构,可以用N型poly-Si TFT作为电流阱来驱动OLED,所以像素的性能进一步优化.结果表明,poly-Si TFT/OLED耦合对的驱动电压低,在200 A/m2下不超过8 V;而TFT电流镜的跟随能力很好,在0.0～2.5 μA时饱和电压只有1.5～2.5 V.