基片和溅射参数对CuInSe2量子点的影响
Guti Dianzixue Yanjiu Yu Jinzhan/Research and Progress of Solid State Electronics（2004）
摘要
用Cu、In、Se三元扇形复合靶,采用射频磁控反应溅射技术,在低温Indium Tin Oxude(ITO)透明导电基片上制备大面积均匀圆柱形CuInSe2(CIS)量子点.制备材料的化学计量比可通过三种单质的面积比率来调节.该制备方法具有成本低、操作简单、易于大型化等优点.平均量子点的大小可控制在40到80 nm之间,可通过改变溅射参数、ITO膜的晶相结构与表面形貌等因素来调节.
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关键词
Average diameter,Quantum dot,Semiconductor
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