利用MOVPE选区外延生长InGaAsP
Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors（2003）
摘要
研究了利用低压MOVPE宽条(15μm)选区外延生长InGaAsP的性质.研究了生长速率、厚度增强因子、带隙调制、组分调制随着生长条件如掩模宽度、生长压力、Ⅲ族源流量的变化规律,给出了合理的解释.同时研究了不同Ⅴ/Ⅲ比下选择性生长InGaAsP表面尖角的性质.
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关键词
Edge spike,InGaAsP,MOVPE,SAG,V/III ratio
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