有机发光器件中缺陷态行为表现
Guangdianzi Jiguang/Journal of Optoelectronics Laser（2002）
摘要
对有机发光二极管(OLED)的I-V特性曲线,用有内建电场Ei的修正F-N模型,或陷阱电荷限制电流(TCL)模型进行了模拟分析,均观察到缺陷态对器件特性的影响.对修正F-N模型拟合,Ei不是常数而是随电场变化的;对满足TCL模型的OLED器件,其I-V特性呈现类似于无机半导体器件中的"迟滞回线"状,而且随测试次数的变化呈现可恢复的变化.这些均说明OLED中存在着缺陷态.用缺陷态上电荷填充状态的变化对上述现象进行了解释.
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关键词
Defect states,F-N tunnel effect,Hesitated I-V curves,OLED,Trapped-Charge-Limited current (TCL)
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