VHF-PECVD法氢化微晶硅薄膜的低温制备

Huidong YANG,Chunya Wu,Yaohua Mai,Hongbo Li,Junming Xue,Yan Li,Huizhi Ren,Lizhu Zhang,Xinhua Geng,Shaozhen Xiong

Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors（2002）

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摘要

采用VHF-PECVD方法,以高氢稀释的硅烷为反应气体,低温条件下成功地制备了系列μc-Si∶H薄膜.对薄膜的厚度测量表明:增大激发频率和反应气压能有效提高沉积速率;随着等离子体功率密度的增大,沉积速率呈现出先增后减的变化.薄膜的Raman光谱、XRD及TEM等测试结果表明:提高衬底温度或减小硅烷浓度,可增大薄膜的结晶度和平均晶粒尺寸;等离子体激发频率的增大只影响薄膜的结晶度,并使结晶度出现极大值;薄膜中存在 (111)、(220)和(311)三个择优结晶取向,且各结晶取向的平均晶粒尺寸不同.

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关键词

μc-Si,Crystallinity,Deposition rate,H thin films,VHF-PECVD

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