聚合物发光器件中输运特性的模拟分析
Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors（2001）
摘要
对聚合物发光二极管I-V特性的测量发现,被测器件内存在着类似于某些无机器件中的负阻现象和"迟滞回线”状场致漂移的伏安特性.模拟分析表明,一种反向势垒的存在及其击穿,应是引起负阻现象的原因.缺陷态的存在及其电荷填充的变化,是导致I-V特性曲线随偏压扫描方向变化的主要原因.而低场下的接触性能决定着发光二级管载流子的输运性质:若为非欧姆接触,则I-V曲线可用F-N隧穿模型来描述;若为欧姆接触,则应用陷阱电荷限制电流(TCL)模型来描述.
更多查看译文
关键词
F-N model,Negative resistance phenomenon,Polymer light emitting device,Reverse barrier,Trapped charge limited current model
AI 理解论文
溯源树
样例
生成溯源树，研究论文发展脉络
Chat Paper
正在生成论文摘要