一种新型气敏传感器的研究

Tien Tzu Hsueh Pao/Acta Electronica Sinica（2001）

引用 3|浏览6

暂无评分

摘要

本文以一种新型有机半导体材料--三明治型稀土金属元素镨双酞菁配合物(Pr[Pc(OC8H17)8]2) 为气敏材料,利用Langmuir-Blodgett(LB)超薄膜技术,将Pr[Pc(OC8H17)8]2以1:3的配比与十八烷醇(OA)的混合LB多层膜(Pr[Pc(OC8H17)8]2/OA)拉制在自行设计的场效应晶体管上,形成了一种新型的以LB膜取代通常的MOSFET中栅金属的化学场效应管器件.将该器件放入NO2气体中,随着气体浓度和LB膜层数的变化,器件的漏电流IDS将产生0.05×10-6A～1.5×10-6A的变化,探测灵敏度可达到5ppmNO2,这种气敏传感器的气敏特性受到FET的电流放大作用和LB膜有序性的影响.

查看译文

关键词

(Langmuir-Blodgett)(LB) film,ChemFET,Gas sensor,MOSFET,Nitrogen dioxide (NO2),Praseodymium bis [phthalocyaninato] complex

AI 理解论文

溯源树

样例

生成溯源树，研究论文发展脉络

Chat Paper

正在生成论文摘要