Co/S钝化GaAs(100)界面形成的SRPES研究

Fapei Zhang,Hongzhi Guo,Pengshou Xu,ChuanGang Zhu,Erdong Lu,Xinyi Zhang,RenYou Liang

Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica（2000）

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摘要

利用同步辐射光电发射谱研究了Co与CH3CSNH2处理的S钝化GaAs(100)的界面形成.发现其界面反应较弱,Co覆盖层达到0.8 nm时,形成稳定的界面.GaAs表面上和S原子形成桥键的Ga原子与Co发生交换反应并扩散到覆盖层中,形成Co-S键.Co覆盖层表面无偏析As的出现,与Co/GaAs(100)界面不同,这表明GaAs表面的S钝化可有效地阻止As原子向覆盖层的扩散.

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