基于多芯片封装的半导体激光器热特性
Qiangjiguang Yu Lizishu/High Power Laser and Particle Beams（2014）
摘要
设计了一种由12只单条形芯片分为2组以从高到低阶梯排列的百瓦级半导体激光器结构.针对其在稳态工作条件下的热特性利用ANSYS软件进行了模拟分析,通过改变Cu热沉的宽度、间距和高度差,得到了最高和最低Cu热沉封装的芯片有源区温度及两者温度差值的变化规律.最后设计了一种较为理想的百W级半导体激光器的散热结构.
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关键词
multi-chip,semiconductor laser,steady-state,temperature of active region
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