RF-PECVD法制备高Ge含量微晶Si-Ge薄膜及太阳电池

Guangdianzi Jiguang/Journal of Optoelectronics Laser（2013）

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摘要

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,研究了衬底温度对高Ge含量(≈50％)微晶Si-Ge(μc-SiGe:H)薄膜结构特性和电学特性的影响.结果表明:较低的衬底温度会抑制μc-SiGe:H薄膜(220)晶向的择优生长；而当衬底温度过高时,μc-SiGe:H薄膜的O含量和微结构因子较大.在衬底温度为200℃时,获得了光电特性和结构特性较优的高Ge含量μc-SiGe:H薄膜.将优化好的μc-SiGe:H薄膜应用到电池中,在本征层为600 nm的情况下,获得了转换效率为3.31％(Jsc=22.5 mA/cm2,Voc=0.32 V,FF=0.46)的单结μc-SiGe:H电池,电池在1100 nm处的光谱响应达5.49％.

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关键词

Hydrogenated microcrystalline silicon germanium (μc-SiGE:H),Solar cell,Substrate temperature

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