基于光管理和带隙梯度的高效非晶硅锗电池光电结构设计

Bofei Liu,Lisha Bai,Dekun Zhang,Changchun Wei,Jian Sun,Ying Zhao,Xiaodan Zhang

Taiyangneng Xuebao/Acta Energiae Solaris Sinica（2013）

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摘要

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对P/L/N型单结非晶硅锗电池进行研究.通过优化溅射后腐蚀ZnO∶ A1衬底的横纵向尺寸,改善其光散射特性,可有效提升非晶硅锗电池的长波响应.针对恒定梯度的非晶硅锗电池填充因子差的问题,通过对非晶硅锗本征层设计合适的梯度带隙,可改善本征层空穴输运特性,使电池填充因子显著提高.在优化的光电结构设计基础上,单结非晶硅锗电池转换效率达9.07％,将其应用到a-Si∶ H/a-SiGe∶H双结叠层电池中,效率达到12.03％.

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关键词

Amorphous silicon germanium solar cells,GeH4 flow grading,Long wavelength response,Tandem solar cell

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