Ga/N高共掺浓度对ZnO导电性能和红移影响的第一性原理研究

Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica（2012）

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摘要

采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,建立了未掺杂ZnO单胞和两种不同浓度的Ga/N高共掺ZnO超胞模型,分别进行了几何结构优化、总态密度分布和能带分布的计算.研究表明,ZnO高共掺Ga/N的条件下,Ga/N高共掺浓度越大,导电性能越弱,并且高掺杂后高能区红移效应显著,计算得到的结果与实验结果的变化趋势一致.

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关键词

Conductivity,First principle,Ga/N heavily doped in ZnO,Red shift

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