以Ni-Al为底电极的P(VDF-TrFE)铁电电容器的结构与性能

Hui-fang YAN,Qing-Xun ZHAO,Yue-ju FU,Zhuo-jia LIU,Ting ZHANG,Jian-xin GUO,Guo-qiang Ren,Bao-ting LIU

Gongneng Cailiao yu Qijian Xuebao/Journal of Functional Materials and Devices（2012）

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摘要

应用磁控溅射法制备Ni-Al和Pt薄膜,溶胶-凝胶法制备P(VDF-TrFE)铁电共聚物薄膜,在SiO2/Si(001)衬底上首次构架了Pt/P( VDF-TrFE )/Ni-Al异质结电容器.X射线衍射(XRD)结果表明:Ni-Al薄膜为非晶结构,P(VDF-TrFE)薄膜具有较好的结晶质量.研究发现,在20 Hz测试频率下,Pt/P(VDF-TrFE)/Ni-Al电容器具有饱和的电滞回线,在90 V驱动电压下,剩余极化强度与矫顽场分别为7.6 μC/cm2和45.7 V.在外加电压为40 V时,薄膜的漏电流密度约为5.37×10-6A/cm2.漏电机制研究表明,Pt/P( VDF-TrFE )/Ni-Al电容器满足欧姆导电机制.铁电电容器经过109极化反转后没有发现明显的疲劳现象.

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关键词

Amorphous Ni-Al,Ferroelectric film,P(VDF-TrFE),Solution cast

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