β-Ga_2O_3:Cr单晶体的浮区法生长及光学特性
Science in China(Series E:Technological Sciences)（2007）
摘要
利用浮区法生长得到β-Ga2O3:Cr单晶体.在室温下测试了β-Ga2O3:Cr单晶体的吸收光谱和发射光谱.通过吸收光谱计算了晶体场分裂系数Dq和Racah系数,得到10Dq/B=23.14,表明Cr3+在β-Ga2O3晶体中处于较弱的晶体场.β-Ga2O3:Cr单晶体经高温退火后Cr3+的发射明显加强,而绿光的发射减弱.采用420nm波长激发,在691nm可得到强而宽的特征发射,此发射对应于Cr3+的4T2→4A2跃迁.
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