外延用300 mm重掺B Si衬底中热致微缺陷研究

Chaoyang Gao,Qigang Zhou,Xiaolin Dai,Cuibin,Haijian Han

Semiconductor Technology（2009）

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摘要

研究了重掺B对300 mm直拉Si衬底中热致微缺陷的影响.通过800℃/4～16 h+1 100℃/16 h的低-高两步退火处理发现,与普通(CZ)Si片相比,重掺B(HBCZ)Si片体内生成了高密度的热致微缺陷--体微缺陷(BMDs);B浓度的不同对BMDs的形态也有重要影响,重掺B Si片中出现杆状层错,随着B浓度的增加,层错密度增加,尺寸减小.研究表明,重掺B对BMDs的促进作用主要归功于B原子促进了氧沉淀的异质形核并由于原子半径效应使得这些核心较容易长大,而晶体中初始氧含量不是重掺B促进氧沉淀的主要因素.

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关键词

stack fault,thermally induced microdefect,heavily B-doped Si substrate,epitaxy

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