非对称双量子阱中载流子耦合的温度依赖性
Chinese Journal of Luminescence（2005）
摘要
非对称双量子阱中载流子动力学过程的温度依赖性研究,对于实现室温下高效的量子阱光电器件有着非常重要的意义.随着温度的升高,量子阱中的载流子被热激发到势垒层中后,部分载流子会被量子阱再俘获,即在不同的量子阱之间发生了载流子的耦合.利用耦合多量子阱载流子动力学模型,模拟了非对称双量子阱中载流子耦合的温度依赖性.研究表明,在不同温度下,各量子阱的光致荧光强度比强烈地依赖于量子阱的激活能差.光致荧光强度比的最大值与激活能差成指数关系,而其所对应的温度与激活能差成线性关系.
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关键词
thermal escape,re-trapping,asymmetric double-quantum-well,ratio of photoluminescence intensity
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