UHF RFID阅读器中的堆叠式CMOS LNA设计

Run-xi ZHANG,Chun-qi SHI,Yue-ting WU,Zong-sheng LAI,Feng-wen CAO

Microelectronics（2007）

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摘要

提出了一种基于0.25 μm标准CMOS工艺,可用于UHF RFID(超高频射频识别)阅读器前端的低噪声放大器.根据低噪声放大器的匹配、噪声和增益分析,结合射频识别系统的理论计算,提出堆叠器件的电路结构达到电流复用,以降低功耗并保证增益.测试结果表明,在2.5 V供电时,放大器可以提供约26.3 dB的前向增益,噪声系数约为1.9 dB,放大电路从电源电压上抽取5.8 mA左右的工作电流,反向隔离度达到-40 dB,放大器的IIP3约为-15 dBm.

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关键词

UHF RFID,RF reader,CMOS low noise-amplifier,Stack-style

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