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Effects of Mg Content on Dark-Line Defects in II–VI Green Converters

Y. Zhu,J. Xie,T. J. Miller,M. A. Haase, X. Sun,S. McKernan,T. L. Smith,C. A. Leatherdale

SCRIPTA MATERIALIA（2011）

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关键词
Transmission electron microscopy,Molecular beam epitaxy,Defect,Semiconductor devices,Dislocation
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