量子尺寸效应对InGaN/GaN量子点中的类氢杂质态的影响
Journal of Zhengzhou University of Light Industry(Natural Science)（2012）
摘要
在有效质量近似下,运用变分法研究了量子尺寸效应对闪锌矿InGaN/GaN量子点中类氢杂质的施主束缚能的影响.数值结果显示,类氢杂质的施主束缚能在很大程度上依赖于杂质位置和量子点结构参数,当杂质位于量子点中心时,施主束缚能最大;当量子点尺寸增加时,位于该量子点任一位置处的杂质束缚能均降低.
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关键词
binding energy,variational method,hydorgenic impurity state,quantum size effect,quantum dot,InGaN/GaN
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