纳米硅薄膜冷阴极研究进展

Vacuum Electronics(2012)

引用 1|浏览1
暂无评分
摘要
纳米硅薄膜冷阴极是一种由大量表面覆盖有超薄氧化层的纳米硅晶构成的平面场发射阴极,具有结构简单、工作电压低、对环境气压不敏感和电子发射方向性好等优点,在真空纳电子器件和电子束器件领域具有潜在的应用前景。本文介绍了纳米硅薄膜冷阴极的结构、场电子发射机理、制作工艺、研究动态和发展趋势。
更多
查看译文
关键词
Tunnel effect,Cold cathode,Nanocrystalline-silicon thin-film,Electron emission
AI 理解论文
溯源树
样例
生成溯源树,研究论文发展脉络
Chat Paper
正在生成论文摘要