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Improvement of Resistive Switching in $\hbox{cu}_{x} \hbox{o}$ Using New RESET Mode

M. Yin,P. Zhou,H. B. Lv,J. Xu,Y. L. Song,X. F. Fu,T. A. Tang,B. A. Chen,Y. Y. Lin

IEEE Electron Device Letters（2008）

引用 45|浏览24

关键词

CuxO,endurance,nonvolatile memory,resistive switching

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