压印技术制备超高密度Si2Sb2Te5基相变存储阵列

Yanbo Liu,Guoquan Min,Zhitang Song,Weimin Zhou,Jing Zhang,Ting Zhang,Yongzhong Wan,Xiaoli Li,Jianping Zhang

Micronanoelectronic Technology（2009）

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摘要

采用低成本、高效率的压印技术实现了高密度相变存储器(PCRAM)存储阵列的制备,开发出Si2Sb2Te5(SST)新材料的4 G bit/inch2存储阵列，存储单元面积为0.04μm2;利用SEM观测压印获得的光刻胶图形阵列以及刻蚀后的SST存储阵列,其单元外形均具有高度的一致性,且单元特征尺寸的3倍标准差均小于6 nm;利用AFM研究了SST存储单元的Ⅰ-Ⅴ特性,阈值电压为1.56V,高、低电阻态阻值变化超过两个数量级.实验结果表明了SST新材料及压印技术在PCRAM芯片中的应用价值.

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关键词

Si2Sb2Te5(SST) memory cell,high-density phase change random access memory (PCRAM) arrays,standard deviation (σ),UV-imprint lithography (UV-IL),phase change

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