Variation von nanostrukturiertem Silicium in DRIE-Tiefenätzprozessen zur Integration in Si-basierte MEMS

T. Wich,C. Stolle,Universität Oldenburg, Grenzschichtprobleme an Mikroelektroden,U. Pliquett,T. Nacke,D. Frense,D. Beckmann,A. Steinke,C. Kremin, S. Leopold, M. Stuberauch, M. Hoffmann, C. Jia, T. Werner,T. Otto, T. Gessner,M. Wiemer,Fraunhofer ENAS, S. Kuhn,Hochschule Heilbronn, K. Wolff, P. Dombert,U. Hilleringmann,J. Bräuer, M. Baum,T. Geßner

msra（2009）

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关键词

a. schleunitz,e. gottwald,s. giselbrecht,forschungszentrum karlsruhe,niederlande strukturierungstechnik zur integration nanoskaliger,g. schmid,self assembled monolayer for thin film capacitors on printed circuit boards d. taroata,r. truckenmüller,w. j. fischer tu dresden mikrostrukturierte polymerfolien mit integrierter nanotopographie als zell-interface m. reinhardt,helmholtz-zentrum berlin für materialien und energie gmbh,erlangen,s. bartels,v. saile,siemens ag,universität twente,self assembled monolayer,thin film,printed circuit board

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