太阳电池用共掺杂ZnO透明导电薄膜的结构及性能

Acta Energiae Solaris Sinica(2011)

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摘要
采用直流磁控溅射法在室温条件下制备出Al,Zr共掺杂ZnO透明导电薄膜。用XRD和SEM分析和观察了薄膜的组织结构和表面形貌,着重分析了靶基距对薄膜结构和光电性能的影响。研究结果表明,制备的Al,Zr共掺杂ZnO透明导电薄膜为具有C轴择优取向、六角纤锌矿结构的多晶薄膜。靶基距对Al,Zr共掺杂ZnO透明导电薄膜的结构和电阻率影响显著。薄膜的厚度随靶基距的增加而变薄,在靶基距为60mm时,制备的薄膜厚度为790nm,电阻率具有最小值1.05×10-3Ω.cm,在可见光区(500~800nm)平均透过率超过92%,在硅基薄膜太阳电池中具有良好的应用前景。
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关键词
Al,Zr co-doped ZnO,Magnetron sputtering,Solar cell,Transparent conducting films
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