基本信息
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职业迁徙
个人简介
龚佑品,男,1981年3月出生。
研究兴趣及方向
1. 半导体薄膜器件与物理性质
2. 纳米光电子器件与应用
3. 低维材料(包括异质结)合成及其光电子器件
4. 纳米材料体系的电学输运性质
科研情况
主要从事介电材料、二维层状薄膜、纳米材料的生长与性能、电子输运器件和光电探测器件等交叉领域科学研究,积累了丰富的实验技术、实验室搭建和管理经验。主持和参与国自然重点项目、国自然面上项目、国自然青年基金、深圳市基础研究学科布局等项目。迄今获得授权专利10项,包含1项美国专利,在Advanced Materials, Advanced Functional Materials, Advanced Optical Materials, Physical Review B, ACS Applied Materials & Interfaces等期刊发表学术论文40余篇,总引用1600余次,h因子20。
所获荣誉
2018年,深圳市南山领航人才。
2017年,深圳市海外高层次人才。
研究兴趣及方向
1. 半导体薄膜器件与物理性质
2. 纳米光电子器件与应用
3. 低维材料(包括异质结)合成及其光电子器件
4. 纳米材料体系的电学输运性质
科研情况
主要从事介电材料、二维层状薄膜、纳米材料的生长与性能、电子输运器件和光电探测器件等交叉领域科学研究,积累了丰富的实验技术、实验室搭建和管理经验。主持和参与国自然重点项目、国自然面上项目、国自然青年基金、深圳市基础研究学科布局等项目。迄今获得授权专利10项,包含1项美国专利,在Advanced Materials, Advanced Functional Materials, Advanced Optical Materials, Physical Review B, ACS Applied Materials & Interfaces等期刊发表学术论文40余篇,总引用1600余次,h因子20。
所获荣誉
2018年,深圳市南山领航人才。
2017年,深圳市海外高层次人才。
研究兴趣
论文共 62 篇作者统计合作学者相似作者
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引用量
主题
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合作者
合作机构
Advanced Electronic Materialsno. 11 (2021)
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