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个人简介
研究方向
1、半导体光电器件;2、固态高频器件与电路。
科研成果
率先发现了氟离子对AlGaN/GaN异质结二维电子气的调制现象,并提出了物理解释;基于这一新发现,成功地研制出高性能增强型AlGaN/GaN HEMTs。开发出GaN基单片集成新技术,研制出可在375 ℃ 高温下正常工作的GaN基DCFL电路。发明了利用化学机械研磨(CMP)实现垂直结构大功率GaN LED的新技术。在国内外专业期刊及会议发表学术论文三十余篇,申请美国专利六项,其中两项处于公告期,申请中国专利两项。
1、半导体光电器件;2、固态高频器件与电路。
科研成果
率先发现了氟离子对AlGaN/GaN异质结二维电子气的调制现象,并提出了物理解释;基于这一新发现,成功地研制出高性能增强型AlGaN/GaN HEMTs。开发出GaN基单片集成新技术,研制出可在375 ℃ 高温下正常工作的GaN基DCFL电路。发明了利用化学机械研磨(CMP)实现垂直结构大功率GaN LED的新技术。在国内外专业期刊及会议发表学术论文三十余篇,申请美国专利六项,其中两项处于公告期,申请中国专利两项。
研究兴趣
论文共 167 篇作者统计合作学者相似作者
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时间
引用量
主题
期刊级别
合作者
合作机构
2022 19th China International Forum on Solid State Lighting & 2022 8th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors (SSLCHINA: IFWS)pp.200-203, (2023)
Materials Science in Semiconductor Processing (2023): 107502-107502
引用0浏览0引用
0
0
IEEE Electron Device Lettersno. 1 (2023): 13-16
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERSno. 1 (2023): 13-16
2022 19th China International Forum on Solid State Lighting & 2022 8th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors (SSLCHINA: IFWS)pp.55-57, (2023)
APPLIED PHYSICS LETTERSno. 6 (2023)
An Yang,Xing Wei,Wenchao Shen, Yu Hu,Tiwei Chen, Heng Wang,Jiaan Zhou, Runxian Xing,Xiaodong Zhang,Guohao Yu,Yaming Fan,Yong Cai,
CRYSTALSno. 4 (2023): 620-620
引用1浏览0引用
1
0
JOURNAL OF SEMICONDUCTORSno. 8 (2023)
引用0浏览0引用
0
0
ELECTRONICSno. 3 (2023): 764-764
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合作学者
合作机构
D-Core
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