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Unleashing Endurance Limits of Emerging Memory: Multi-Level FeRAM Recovery Array Empowered by a Coordinated Inverting Amplifier Circuit
K.-Y. Hsiang,F.-S. Chang, Z.-F. Lou, A. Aich, A. Senapati,J.-Y. Lee, Z.-X. Li, J.-H. Chen,C.-H. Liu,C. W. Liu, S. Maikap, P. Su,
IEEE Transactions on Electron Devicesno. 99 (2024): 1-6
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Highly Manufacturable, Cost-Effective, and Monolithically Stackable 4F2 Single-Gated IGZO Vertical Channel Transistor (VCT) for sub-10nm DRAM
Daewon Ha,Wonsok Lee,M.H. Cho, M. Terai, S.-W. Yoo, H. Kim,Y. Lee, S. Uhm, M. Ryu, C. Sung,Y. Song, K. Lee,
2023 International Electron Devices Meeting (IEDM)pp.1-4, (2023)
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Development of EUV interference lithography for 25 nm line/space patterns
A. K. Sahoo,P. -h. Chen,C. -h. Lin,R. -s. Liu,B. -j. Lin, T. -s. Kao, P. -w. Chiu, T. -p. Huang, W. -y. Lai, J. Wang,Y. -y. Lee, C. -k. Kuan
Micro and Nano Engineering (2023): 100215-100215
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3D Monolithically Integrated Device of Si CMOS Logic, IGZO DRAM-like, and 2D MoS2 Phototransistor for Smart Image Sensing
F.M. Lee, P. H. Tseng, Y. Y. Lin, Y. H. Lin, W. L. Weng, N. C. Lin, P. J. Sung,C. C. Yang,W. F. Wu, C. H. Shen,P. H. Chen,Y. H. Lee,
2023 International Electron Devices Meeting (IEDM)pp.1-4, (2023)
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Low voltage (<1.8 V) and high endurance (>1M) 1-Selector/1-STT-MRAM with ultra-low (1 ppb) read disturb for high density embedded memory arrays
E. Ambrosi, C. H. Wu, M. Y. Song,H. Y. Lee, K. S. Li,C. C. Lin, C. F. Hsu, C. C. Kuo, W. N. Chang,Y. J. Chen,C. H. Lin, J. M. Shieh,
2023 International Electron Devices Meeting (IEDM)pp.1-4, (2023)
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