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Highly Reliable and Manufacturable MRAM embedded in 14nm FinFET node
S. Ko, J. H. Park, J. H. Bak, H. Jung, J. Shim,D. S. Kim,W. Lim, D.-E. Jeong,J. H. Lee,K. Lee, J.-H. Park,Y. Kim,
VLSI Technology and Circuitspp.1-2, (2023)
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Comprehensive study on prediction of endurance properties from breakdown voltage in high-reliable STT-MRAM
H. Sato, H. M. Shin,H. Jung,S. W. Lee, H. Bae, H. Kwon, K. H. Ryu, W. C. Lim, Y. S. Han,J. H. Jeong,J. M Lee,D. S. Kim,
2023 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)pp.1-5, (2023)
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World-most energy-efficient MRAM technology for non-volatile RAM applications
T. Y. Lee,J. M. Lee,M. K. Kim, J. S. Oh,J. W. Lee,H. M. Jeong, P. H. Jang, M. K. Joo, K. Suh, S. H. Han, D.-E. Jeong, T. Kai,
2022 International Electron Devices Meeting (IEDM)pp.10.7.1-10.7.4, (2022)
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28nm CIS-Compatible Embedded STT-MRAM for Frame Buffer Memory
D. S. Kim,J. H. Bak, S. P. Ko,W. C. Lim,H. C. Shin,J. H. Lee,J. H. Park, J. H. Jeong,J. M. Lee, T. Kai, H. Sato,J. W. Lee,
2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)pp.2.1.1-2.1.4, (2021)
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12.5 Mb/mm 2 embedded MRAM for high density non-volatile RAM applications
Kwang-Pyuk Suh,Junha Lee,H. M. Shin,Jung Moo Lee,Kyu-han Lee, Y. J. Hong,Sung-hee Han, Yun-gi Kim,C. K. Kim,S. Pyo, H. T. Jung, Y. Ji,
2021 Symposium on VLSI Technologypp.1-2, (2021)
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28-nm 0.08 mm2/Mb Embedded MRAM for Frame Buffer Memory
S. H. Han,J. M. Lee, H. M. Shin,J. H. Lee,K. S. Suh, K. T. Nam, B. S. Kwon, M. K. Cho,J. Lee, J. H. Jeong,J. H. Park, S. C. Oh,
2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)（2020）
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