近年来主要围绕Si衬底上GaN基功率电子材料和器件开展研究工作，在Si基GaN厚膜及其异质结构的MOCVD外延生长、C杂质的掺杂机理、缺陷态影响电子器件可靠性等方面取得了多项成果。迄今共发表SCI论文70多篇，包括以第一/通讯作者在Phys. Rev. Lett.、Adv. Funct. Mater.、Appl. Phys. Lett.等期刊上发表SCI论文30篇。在本领域国内外学术会议上做邀请报告13次，申请/授权国家发明专利13件。主持和参加国家自然科学基金优青、面上、青年项目，国家重点研发计划课题，广东省重点研发计划课题，863课题等10项科研任务，正在积极推动科研成果转化。