基本信息
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职业迁徙
个人简介
作为项目负责人承担国家科技重大专项课题、自然基金面上项目、中科院项目、上海市科技创新项目;作为研究骨干参与国家科技重大专项相关研究任务。
主要从事功率技术开发以及汽车电子专用芯片研发。
针对宽禁带半导体功率器件GaN HEMT开展系列工作,尤其侧重HEMT器件界面高介电常数介质生长和钝化、以及电流崩塌效应抑制。
针对汽车电子通讯接口芯片CAN\LIN,以及电动汽车用电池监控芯片(BMS)开展研发工作,力争实现关键芯片国产化。为IEEE Electron Device Letters 期刊审稿人。在IEEE Electron Devices, Applied Physics Letters等期刊上发表多篇学术论文,授权16项国内发明专利,3项PCT专利。
主要从事功率技术开发以及汽车电子专用芯片研发。
针对宽禁带半导体功率器件GaN HEMT开展系列工作,尤其侧重HEMT器件界面高介电常数介质生长和钝化、以及电流崩塌效应抑制。
针对汽车电子通讯接口芯片CAN\LIN,以及电动汽车用电池监控芯片(BMS)开展研发工作,力争实现关键芯片国产化。为IEEE Electron Device Letters 期刊审稿人。在IEEE Electron Devices, Applied Physics Letters等期刊上发表多篇学术论文,授权16项国内发明专利,3项PCT专利。
研究兴趣
论文共 119 篇作者统计合作学者相似作者
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时间
引用量
主题
期刊级别
合作者
合作机构
Qian Wang, Hao Hua,Li Zheng,Junhong Feng, Cheng Zhang, Mingyang Gao, Kun Qiu, Jian Luo,Xinhong Cheng
Journal of Physics D: Applied Physics (2024)
IEEE Transactions on Power Electronicsno. 5 (2023): 6366-6379
SSRN Electronic Journal (2023)
引用0浏览0引用
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IEEE Transactions on Power Electronicsno. 99 (2023): 1-13
2023 IEEE International Conference on Power Science and Technology (ICPST)pp.12-16, (2023)
引用0浏览0EIWOS引用
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2023 20th China International Forum on Solid State Lighting & 2023 9th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors (SSLCHINA: IFWS)pp.153-156, (2023)
2023 IEEE International Conference on Power Science and Technology (ICPST)pp.351-356, (2023)
引用0浏览0EIWOS引用
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0
IEEE Transactions on Electron Devicesno. 6 (2023): 2975-2980
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