基本信息
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职业迁徙
个人简介
杜小龙,男,中国科学院物理研究所硕士生导师,1966年10月生,主要研究课题为宽禁带半导体ZnO基、GaN基单晶薄膜的制备及其光电子器件的研制等。现为中国科学院物理所研究员、博士生导师,清洁能源中心副主任;因独创性的氧化锌单晶薄膜制备工艺而荣获2001年度千叶大学Nanohana科研成果奖。
研究方向
1、高质量ZnO外延生长的表面/界面工程;探索无极性Si(111)、蓝宝石(0001)衬底上制备高质量单极性ZnO薄膜的优化工艺。
2、ZnO p型掺杂的自补偿机理研究,开发具有高p型电导的p型掺杂工艺。
3、ZnO单晶薄膜材料的能带工程,揭示在非平衡生长条件下三元、四元合金薄膜的组分、晶相、带隙之间的关系,获得三元、四元单晶薄膜的带隙调节技术。
4、ZnO极性表面的电子、原子结构及其对金属/ZnO、导电氧化物薄膜/ZnO界面结构以及接触特性的影响,开发良好欧姆接触和稳定肖特基接触的制备工艺。
5、ZnO基量子点、量子阱结构的制备与物性研究。
6、ZnO基紫外探测器、发光二极管、量子点共振隧穿二极管等光电子器件的研制及物性研究。
研究方向
1、高质量ZnO外延生长的表面/界面工程;探索无极性Si(111)、蓝宝石(0001)衬底上制备高质量单极性ZnO薄膜的优化工艺。
2、ZnO p型掺杂的自补偿机理研究,开发具有高p型电导的p型掺杂工艺。
3、ZnO单晶薄膜材料的能带工程,揭示在非平衡生长条件下三元、四元合金薄膜的组分、晶相、带隙之间的关系,获得三元、四元单晶薄膜的带隙调节技术。
4、ZnO极性表面的电子、原子结构及其对金属/ZnO、导电氧化物薄膜/ZnO界面结构以及接触特性的影响,开发良好欧姆接触和稳定肖特基接触的制备工艺。
5、ZnO基量子点、量子阱结构的制备与物性研究。
6、ZnO基紫外探测器、发光二极管、量子点共振隧穿二极管等光电子器件的研制及物性研究。
研究兴趣
论文共 36 篇作者统计合作学者相似作者
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合作机构
Bulletin of the Chinese Academy of Sciencesno. 3 (2022)
user-5ebe28934c775eda72abcddd(2020)
Physical Chemistry Chemical Physicsno. 39 (2019): 22159-22159
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