基本信息
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职业迁徙
个人简介
李贤斌,教授/博导,广东新会人,国家优青。长期从事相变信息存储器及光电器件中关键半导体物理问题的研究,特别针对相变存储器速度提升与功耗降低等关键问题,基于电子结构计算方法,在半导体的原子结构、电子态的设计与调控方面取得了多项创新成果。曾在Phys. Rev. Lett.、Nature Commun.、Adv. Mater.、Nano Today、Adv. Funct. Mater、Nano Lett.、Acta Mater.、IEEE等学术期刊发表第一/通讯作者论文53篇,被包括Science、Nature Rev. Mater.在内总引3200次、H因子33。曾获国际半导体物理大会、IEEE国际固态集成电路技术会议、华为未来之光论坛、美国材料学会相变存储论坛、中国物理学会秋季会议、中德电子存储材料双边学术论坛等重要学术会议邀请报告31次。主持国家自然科学基金优秀青年项目、面上项目、青年项目、973子课题等科研项目8项。曾获吉林大学优秀青年教师计划、吉林省自然科学学术成果奖、吉林省青年科技奖等荣誉。李博士在相变存储领域的持续探索得到同行关注:参与设计的TiSbTe相变材料因超快存储速度被国际半导体工业同行点评为具有出众性能;与合作者共同提出的过渡金属元素牢靠钉扎中心模型为国产相变存储集成电路芯片研制提供材料设计方案;曾受邀在纪念相变存储技术发明人Stanford R. Ovshinsky先生的学术特刊中撰写关于电子激发诱导相变存储新机制的研究进展综述。
研究兴趣
论文共 134 篇作者统计合作学者相似作者
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时间
引用量
主题
期刊级别
合作者
合作机构
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)no. 15 (2024): e2307951-e2307951
Bai-Qian Wang, Tian-Yu Zhao, Huan-Ran Ding,Yu-Ting Liu,Nian-Ke Chen, Meng Niu, Xiao-Dong Li,Ming Xu,Hong-Bo Sun, Shengbai Zhang,Xian-Bin Li
Acta Materialia (2024): 120123
Gao-Da Ye,Ran Ding, Su-Heng Li, Lei Ni,Shu-Ting Dai,Nian-Ke Chen,Yue-Feng Liu,Runda Guo,Lei Wang,Xian-Bin Li,Bin Xu,Jing Feng
Light, science & applicationsno. 1 (2024): 136-136
Advanced Optical Materials (2024)
Physical Chemistry Chemical Physicsno. 3 (2023): 2043-2049
SCIENCE BULLETINno. 21 (2023): 2500-2502
JOURNAL OF APPLIED PHYSICSno. 20 (2023)
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