基本信息
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职业迁徙
个人简介
2000年毕业于南京大学,2003年获香港大学硕士,2007年获英国Strathclyde大学博士。
2008-2013日本立命馆大学历任日本学术振兴会JSPS博士后及高级研究员(名西研究室Nanishi Lab);
2013-2016日本千叶大学副教授(吉川研究室Yoshikawa Lab);
2016-2018日本国立理化学研究所(RIKEN)研究员(平山量子光器件研究室 Hirayama Lab);
2018年起南京大学电子学院教授,RIKEN客座研究员。
长期从事半导体光电材料与器件的前沿研究,主要包括宽禁带氮化物半导体的材料外延生长,物性分析,新型光电器件,尤其是氮化物分子束外延生长(MBE)技术。在 Appl. Phys. Lett.、Phys. Rev. B.、Scientific Reports、Appl. Phys. Express. 等重要学术刊物上发表SCI 论文34篇,EI论文4篇, 其中第一及通讯作者21篇。为Appl. Phys. Lett.、J. Appl. Phys.、Appl. Phys. Express.、AIP Advance, Opt. Express 等学术刊物的审稿人。做国际会议邀请报告10余次、演讲30余次。主持国家自然科学基金项目一项,在日期间主持日本学术振兴会项目两项,参与日本学术振兴会、日本科学技术振兴机构等大型项目七项,对氮化物半导体的一些前沿难题进行了深入研究,涵盖高铟组分InGaN和高铝组分AlGaN 的MBE生长机制、p-型掺杂控制、材料物性、超晶格、太阳电池等。近年重点研究AlGaN深紫外发光器件,以及GaAs系和GaN系量子级联激光器等。
2008-2013日本立命馆大学历任日本学术振兴会JSPS博士后及高级研究员(名西研究室Nanishi Lab);
2013-2016日本千叶大学副教授(吉川研究室Yoshikawa Lab);
2016-2018日本国立理化学研究所(RIKEN)研究员(平山量子光器件研究室 Hirayama Lab);
2018年起南京大学电子学院教授,RIKEN客座研究员。
长期从事半导体光电材料与器件的前沿研究,主要包括宽禁带氮化物半导体的材料外延生长,物性分析,新型光电器件,尤其是氮化物分子束外延生长(MBE)技术。在 Appl. Phys. Lett.、Phys. Rev. B.、Scientific Reports、Appl. Phys. Express. 等重要学术刊物上发表SCI 论文34篇,EI论文4篇, 其中第一及通讯作者21篇。为Appl. Phys. Lett.、J. Appl. Phys.、Appl. Phys. Express.、AIP Advance, Opt. Express 等学术刊物的审稿人。做国际会议邀请报告10余次、演讲30余次。主持国家自然科学基金项目一项,在日期间主持日本学术振兴会项目两项,参与日本学术振兴会、日本科学技术振兴机构等大型项目七项,对氮化物半导体的一些前沿难题进行了深入研究,涵盖高铟组分InGaN和高铝组分AlGaN 的MBE生长机制、p-型掺杂控制、材料物性、超晶格、太阳电池等。近年重点研究AlGaN深紫外发光器件,以及GaAs系和GaN系量子级联激光器等。
研究兴趣
论文共 82 篇作者统计合作学者相似作者
按年份排序按引用量排序主题筛选期刊级别筛选合作者筛选合作机构筛选
时间
引用量
主题
期刊级别
合作者
合作机构
Yimeng Sang,Zhe Zhuang,Kun Xing,Dongqi Zhang,Jinjian Yan,Zhuoying Jiang, Chenxue Li,Kai Chen, Yu Ding,Tao Tao,Daisuke Iida,Ke Wang,
Applied Physics Lettersno. 14 (2024)
2023 China Semiconductor Technology International Conference (CSTIC)pp.1-3, (2023)
引用0浏览0EIWOS引用
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Extended Abstracts of the 2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (2023)
Photonicsno. 2 (2023): 155-155
IEEE ACCESS (2023): 40479-40487
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