基本信息
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职业迁徙
个人简介
主要从事半导体材料与器件研究,尤其在氮化物半导体新材料、低维纳米结构半导体量子点、量子阱和纳米线材料及器件应用等前沿领域取得多项创新性成果。代表性研究工作包括:1)建立了适于III族氮化物半导体电子能带结构计算的紧束缚近似模型。该模型已被国际同行称作“标准的紧束缚近似模型”;2)理论上证明了V族立方相氮化物合金(InAsN)是直接带隙半导体材料并具有大的带隙弯曲参量,预言了此合金可被用作发展长波长信息功能器件的新材料;3)提出了“高温缓冲层”概念,用“三步生长法”取代“传统的两步生长法”在蓝宝石衬底上用MOCVD制备出高质量的GaN晶体;4)利用先进的MOCVD或MBE技术实现了高性能GaAs基和InP基量子点材料及器件:如,在国际上报道了最均匀的1.3微米波段InAs/GaAs自组织量子点材料(非均匀展宽<17 meV);快速退火能使长波长InAs/GaAs量子点产生大的波长蓝移现象,并阐明了产生这一现象的物理机理;通过引进退火,发明了显著改进InAs/GaAs量子点有源区性能的技术;证明了转换效率高达17%的InAs/GaAs量子点中间能带太阳能电池;证明了高性能1.55微米波段InAs/InP量子点材料及边发射激光器、宽带可调谐激光器和超短脉冲锁模激光器等等;5)实现了基于MOCVD的高性能2微米波段InP基量子阱激光器。
迄今,在重要的国际学术刊物上发表论文80余篇,发表国际学术会议论文60余篇和国内学术会议论文50余篇。申请国内外发明专利20项。曾获德岛大学国际交流研究奖(1997),NEDO Fellowship(2000),中科院“百人计划” (2007)。
迄今,在重要的国际学术刊物上发表论文80余篇,发表国际学术会议论文60余篇和国内学术会议论文50余篇。申请国内外发明专利20项。曾获德岛大学国际交流研究奖(1997),NEDO Fellowship(2000),中科院“百人计划” (2007)。
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Journal of Alloys and Compoundspp.174312, (2024)
Vacuum (2024): 112794-112794
NANOPHOTONICSno. 1 (2024): 75-83
AIP Advancesno. 2 (2024): 025121-025121-6
Vacuum (2023): 111665-111665
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Nano-Micro Lettersno. 1 (2023): 1-11
Optics Expressno. 15 (2023): 25298-25298
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