基本信息
浏览量:347
职业迁徙
个人简介
马佐平,出生于甘肃省兰州市,微纳电子专家,美国国家工程院院士,中国科学院外籍院士,中国台湾“中央研究院”院士,IEEE Fellow。
马佐平于1970年始在做超薄(~4纳米)栅氧化硅研究中指出隧穿电流对MOS特性的重要影响,发现了辐射效应或热载子效应所产生的界面陷阱与在界面附近的应变分布有直接的关联,而据此提出一个“栅诱导的应变分布”模式来解释实验的结果,推出在栅氧化硅内掺入极小量的诸如氟、氯或氮等杂质来促成应变的弛豫以降低辐射或热载子效应的方法。发现了一个在经历辐照MOS内的界面陷阱的转型现象,并随后对此做了系统的研究。他最先提出用氮化硅(Si3N4)做MOS栅介质以取代二氧化硅(SiO2)的概念并首先用实验证明其可行性,推动了引入用更高介电常数的栅介质的理念,进而推展未来的MOS科技。Intel、IBM等公司宣布量产High-k Gate Dielectrics的芯片, 正式实践了马佐平早期理念。他的研究小组创先使用“非弹性电子隧道谱”(IETS)的方法来探测超薄高介电常数的介质内的微结构、微缺陷及杂质。
马佐平于1970年始在做超薄(~4纳米)栅氧化硅研究中指出隧穿电流对MOS特性的重要影响,发现了辐射效应或热载子效应所产生的界面陷阱与在界面附近的应变分布有直接的关联,而据此提出一个“栅诱导的应变分布”模式来解释实验的结果,推出在栅氧化硅内掺入极小量的诸如氟、氯或氮等杂质来促成应变的弛豫以降低辐射或热载子效应的方法。发现了一个在经历辐照MOS内的界面陷阱的转型现象,并随后对此做了系统的研究。他最先提出用氮化硅(Si3N4)做MOS栅介质以取代二氧化硅(SiO2)的概念并首先用实验证明其可行性,推动了引入用更高介电常数的栅介质的理念,进而推展未来的MOS科技。Intel、IBM等公司宣布量产High-k Gate Dielectrics的芯片, 正式实践了马佐平早期理念。他的研究小组创先使用“非弹性电子隧道谱”(IETS)的方法来探测超薄高介电常数的介质内的微结构、微缺陷及杂质。
研究兴趣
论文共 81 篇作者统计合作学者相似作者
按年份排序按引用量排序主题筛选期刊级别筛选合作者筛选合作机构筛选
时间
引用量
主题
期刊级别
合作者
合作机构
ECS Meeting Abstractsno. 30 (2021): 1024-1024
Physical Chemistry Chemical Physicsno. 23 (2019): 12150-12162
引用0浏览0引用
0
0
Maruf A. Bhuiyan, Student Member,Hong Zhou,Rong Jiang,En Xia Zhang, Senior Member,Daniel M. Fleetwood,Peide D. Ye,Tso-Ping Ma
semanticscholar(2018)
引用0浏览0引用
0
0
加载更多
作者统计
合作学者
合作机构
D-Core
- 合作者
- 学生
- 导师
数据免责声明
页面数据均来自互联网公开来源、合作出版商和通过AI技术自动分析结果,我们不对页面数据的有效性、准确性、正确性、可靠性、完整性和及时性做出任何承诺和保证。若有疑问,可以通过电子邮件方式联系我们:report@aminer.cn