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个人简介
Thomas Jacquet received the M.S. degree in electrical engineering from the Université de Bordeaux, Bordeaux, France, in 2012, and the Ph.D. degree in electrical engineering jointly from the University of Bordeaux and the University Frederico II, Naples, Italy, in 2016, respectively.
His current research interests involve the characterization and modeling of degradation of SiGe HBTs in the limit of the Safe Operating Area.
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Mukherjee Chhandak,Jacquet Thomas,Chakravorty Anjan, Zimmer Thomas,Bock Josef,Aufinger Klaus,Maneux Cristell
IEEE Transactions on Electron Devicesno. 9 (2016): 3656
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Mukherjee Chhandak,Jacquet Thomas,Chakravorty Anjan,Zimmer Thomas,Bock Josef,Aufinger Klaus,Maneux Cristell
IEEE Transactions on Electron Devicesno. 9 (2016)
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