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Improvement of GIDL-assisted Erase by using Surrounded BL PAD Structure for VNAND
Suhwan Lim,Samki Kim,Changhee Lee, Hyeongwon Choi, Nambin Kim,Jaehun Jung,Hanvit Yang,Tae-Hun Kim,Junhee Lim,Daewon Ha,Sunghoi Hur,Jaehoon Jang,
2023 IEEE International Memory Workshop (IMW)pp.1-4, (2023)
引用0浏览0EIWOS引用
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Diversifying the role of MI in semiconductor manufacturing through new technologies and innovations
Younghoon Sohn, Sungyoon Ryu,Jaehyung Ahn,Souk Kim
METROLOGY, INSPECTION, AND PROCESS CONTROL XXXVI (2022)
引用0浏览0引用
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Analysis on Distortion of Fan-Out Panel Level Packages (FOPLP)
Yongjin Park, Bong-Soo Kim, Tae-Ho Ko,Sung-Hoan Kim,Seok Won Lee,Tae-Je Cho
2021 IEEE 71st Electronic Components and Technology Conference (ECTC)pp.90-95, (2021)
引用1浏览0EIWOS引用
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A Reflection and Crosstalk Canceling Continuous-Time Linear Equalizer for High-Speed DDR SDRAM
Seunghwan Hong,Chang-Hyun Bae,Yoo-Chang Sung,Jaewoong Kim, Junsub Yoon,Sangwoo Kim,Jin-Hyeok Baek, Cheongryong Cho,Useung Shin,Sang-Kyeom Kim, Hwan-Chul Jung,Ho-Jun Chang,
2021 Symposium on VLSI Circuitspp.1-2, (2021)
引用4浏览0EIWOS引用
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12.5 Mb/mm2 embedded MRAM for high density non-volatile RAM applications
K. Suh,J. H. Lee,H. M. Shin,J. M. Lee,K. M. Lee,Y. J. Hong, S. H. Han, Y. J. Kim,C. K. Kim, S. Pyo, H. T. Jung, Y. Ji,
2021 Symposium on VLSI Technologypp.1-2, (2021)
引用1浏览0EIWOS引用
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28-nm 0.08 mm2/Mb Embedded MRAM for Frame Buffer Memory
S. H. Han,J. M. Lee, H. M. Shin,J. H. Lee,K. S. Suh, K. T. Nam, B. S. Kwon, M. K. Cho,J. Lee, J. H. Jeong,J. H. Park, S. C. Oh,
2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)（2020）
引用17浏览0EIWOS引用
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