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Patterning challenges and opportunities in nanosheet device architectures
Naoto Horiguchi,Basoene Briggs, Boon Teik Chan,Steven Demuynck, Maryam Hosseini,Geert Mannaert,Hans Mertens, Yusuke Oniki,Sujith Subramanian,Zheng Tao
Advanced Etch Technology and Process Integration for Nanopatterning XI (2022)
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Intel 4 CMOS Technology Featuring Advanced FinFET Transistors optimized for High Density and High-Performance Computing
B. Sell, S. An, J. Armstrong, D. Bahr, B. Bains, R. Bambery, K. Bang,D. Basu, S. Bendapudi,D. Bergstrom, R. Bhandavat, S. Bhowmick,
Symposium on VLSI Technology (VLSI Technology)（2022）
引用11浏览0EIWOS引用
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FinFETs with Thermally Stable RMG Gate Stack for Future DRAM Peripheral Circuits
E. Capogreco, H. Arimura,R. Ritzenthaler, S. Brus, Y. Oniki, E. Dupuy, F. Sebaai, D. Radisic, B. T. Chan,D. Zhou, V. Machkaoutsan, S. Yoon,
2022 INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING, IEDMpp.26.2.1-26.2.4, (2022)
引用3浏览0EIWOS引用
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High Performance Thermally Resistant FinFETs DRAM Peripheral CMOS FinFETs with VTH Tunability for Future Memories
Romain Ritzenthaler,E. Capogreco, E. Dupuy,Hiroaki Arimura, J. P. Bastos,P. Favia, F. Sebaai, D. Radisic, V. T. H. Nguyen,G. Mannaert, B. T. Chan, V. Machkaoutsan,
2022 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits)pp.306-307, (2022)
引用3浏览0EI引用
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Forksheet FETs for Advanced CMOS Scaling: Forksheet-Nanosheet Co-Integration and Dual Work Function Metal Gates at 17nm N-P Space
H. Mertens,R. Ritzenthaler, Y. Oniki,B. Briggs, B.T. Chan,A. Hikavyy,T. Hopf,G. Mannaert,Z. Tao, F. Sebaai,A. Peter, K. Vandersmissen,
2021 Symposium on VLSI Technologypp.1-2, (2021)
引用21浏览0EIWOS引用
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