基本信息
浏览量:108
职业迁徙
个人简介
罗庆博士长期致力于新型存储器的高密度集成的研究,在阻变存储器的三维集成领域取得了突破性进展,首次实现了8层垂直结构的三维阻变存储阵列;针对三维集成阵列中的关键性问题——交叉串扰问题,提出了高性能选通管以及自选通阻变存储器;针对先进工艺节点的嵌入式存储器缺失问题,提出了基于Hf0.5Zr0.5O2的铁电混合存储器件。
基于上述成果,罗庆博士在微电子领域最重要的国际会议IEDM/VLSI上发表论文10篇(第一作者6篇),在微电子领域最重要期刊IEEE EDL/TED上发表论文8篇(第一作者4篇)。发表的论文被Nat. Mater.、Nat. Electron.、 Nat. Commun.等期刊重点评述和引用,被Samsung、IMEC、惠普实验室等研究机构的跟踪和引用;自选通器件作为典型工作入选国际半导体技术路线图(IRDS2017)。与全球存储产业巨头之一美国西部数据公司就RRAM三维集成研究开展合作,与联想集团合作开展独立式三维阻变存储器的研发。
研究兴趣
论文共 161 篇作者统计合作学者相似作者
按年份排序按引用量排序主题筛选期刊级别筛选合作者筛选合作机构筛选
时间
引用量
主题
期刊级别
合作者
合作机构
Qiqiao Wu, Yue Cao,Qing Luo, Haijun Jiang,Zhongze Han, Yongkang Han,Chunmeng Dou,Hangbing Lv,Qi Liu,Jianguo Yang,Ming Liu
IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITSno. 1 (2024): 208-218
Linfang Wang, Weizeng Li,Zhidao Zhou,Hanghang Gao, Zhi Li,Wang Ye,Hongyang Hu,Jing Liu,Jinshan Yue,Jianguo Yang,Qing Luo,Chunmeng Dou,
ADVANCED INTELLIGENT SYSTEMSno. 1 (2024): n/a-n/a
Qiqiao Wu, Yue Cao,Qing Luo, Haijun Jiang,Zhongze Han, Yongkang Han,Chunmeng Dou,Hangbing Lv,Qi Liu,Jianguo Yang,Ming Liu
2023 IEEE International Solid- State Circuits Conference (ISSCC)no. 1 (2024): 208-218
ISSCCno. 1 (2024): 208-218
Sci. China Inf. Sci.no. 10 (2023): 1-23
IEEE Electron Device Lettersno. 3 (2023): 396-399
加载更多
作者统计
合作学者
合作机构
D-Core
- 合作者
- 学生
- 导师
数据免责声明
页面数据均来自互联网公开来源、合作出版商和通过AI技术自动分析结果,我们不对页面数据的有效性、准确性、正确性、可靠性、完整性和及时性做出任何承诺和保证。若有疑问,可以通过电子邮件方式联系我们:report@aminer.cn