Pei Liu(刘沛)关注立即认领分享关注立即认领分享基本信息浏览量:2职业迁徙个人简介暂无内容研究兴趣论文共 13 篇作者统计合作学者相似作者按年份排序按引用量排序主题筛选期刊级别筛选合作者筛选合作机构筛选时间引用量主题期刊级别合作者合作机构基于GaN同质衬底的高迁移率AlGaN/GaNHEMT材料张志荣,房玉龙,尹甲运,Guo Yan-Min,Wang Bo,王元刚,Li Jia,芦伟立,Gao Nan,Liu Pei,冯志红物理学报(2018)引用8浏览0引用80基于三氯硅烷的高质量4H-SiC多片外延生长 卜爱民,房玉龙,李佳,芦伟立,赵丽霞,杨龙,尹甲运,刘沛,冯志红,陈秉克,蔡树军半导体技术(2018)引用0浏览0引用00陶瓷表面状态对底部填充胶流动性影响研究李菁萱,刘沛,练滨浩,林鹏荣,黄颖卓电子与封装(2018)引用1浏览0引用10高电流密度Ga2O3 MOSFET器件的研制田秀伟,马春雷,刘沛,韩婷婷,宋旭波,吕元杰半导体技术(2018)引用0浏览0引用00退火气氛对p-GaN材料及其欧姆接触性能的影响郭艳敏,房玉龙,尹甲运,刘沛,张志荣,王波,高楠,冯志红半导体技术(2018)引用0浏览0引用00军用射频集成电路技术发展趋势刘沛,王健安,赖凡微电子学(2018)引用0浏览0引用00基于HfO2栅介质的Ga2O3 MOSFET器件研制韩婷婷,吕元杰,刘沛,敦少博,顾国栋,冯志红半导体技术(2018)引用2浏览0引用20碲镉汞p型接触孔低损伤干法刻蚀技术研究宁提,陈慧卿,谭振,张敏,刘沛激光与红外(2018)引用0浏览0引用00斯特林制冷机技术研究进展综述饶启超,任博文,刘沛,迟国春低温与超导(2018)引用3浏览0引用30基于AlN和GaN形核层的AlGaN/GaN HEMT外延材料和器件对比高楠,房玉龙,尹甲运,刘沛,王波,张志荣,郭艳敏,顾国栋,王元刚,冯志红,蔡树军半导体技术(2017)引用0浏览0引用00加载更多作者统计合作学者合作机构D-Core合作者学生导师暂无相似学者,你可以通过学者研究领域进行搜索筛选数据免责声明页面数据均来自互联网公开来源、合作出版商和通过AI技术自动分析结果,我们不对页面数据的有效性、准确性、正确性、可靠性、完整性和及时性做出任何承诺和保证。若有疑问,可以通过电子邮件方式联系我们:report@aminer.cn