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Methodology for parameters extraction with undoped junctionless EZ-FETs
N. Zerhouni Abdou, S. Reboh, L. Brunet, M. Alepidis,P. Acosta Alba, S. Cristoloveanu, I. Ionica
Solid-State Electronicspp.108897, (2024)
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Undoped junctionless EZ-FET: Model and measurements
N. Zerhouni Abdou,S. Reboh, M. Alepidis,P. Acosta Alba,S. Cristoloveanu,I. Ionica
SOLID-STATE ELECTRONICS (2023): 108731-108731
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3D sequential integration with Si CMOS stacked on 28nm industrial FDSOI with Cu-ULK iBEOL featuring RO and HDR pixel
T. Mota-Frutuoso, V. Lapras, L. Brunet, L. Basset, J. Lugo, C. Fenouillet-Beranger, M. Vinet, D. Lattard, F. Boulard, Y. Exbraya, D. Boutry, O. Billoint,
2023 International Electron Devices Meeting (IEDM)pp.1-4, (2023)
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RF figures of merit of polysilicon trap-rich layers formed locally by ion amorphization and nanosecond laser annealing
M. Perrosé,P. Acosta Alba,M. Moulin, E. Augendre, J. Lugo, J.-P. Raskin,S. Reboh
2023 IEEE 23rd Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systemspp.25-27, (2023)
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Nanosecond laser annealing of pseudomorphic GeSn layers: Impact of Sn content
M. Frauenrath,P. Acosta Alba,O. Concepción, J.-H. Bae,N. Gauthier, E. Nolot, M. Veillerot, N. Bernier, D. Buca,J.-M. Hartmann
Materials Science in Semiconductor Processing (2023): 107549-107549
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Low Temperature Junction Formation for EZ-FET
N. Zerhouni Abdou,P. Acosta Alba, L. Brunet, F. Milesi, M. Opprecht, M. Gallard, S. Reboh, I. Ionica
IEEE Journal of the Electron Devices Societyno. 99 (2023): 1-1
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