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个人简介
主要从事半导体低维结构材料的生长研究和物理分析工作。先后承担和参加多项国家重大项目和重点项目课题。用激光溅射方法成功地获得了室温荧光谱线明显蓝移的GaN纳米点。用激光溅射方法研究了ZnO薄膜的生长及其物理特性。成功地用等离子体溅射方法获得了具有铁电性能的掺Li ZnO薄膜。用多体物理中的GW近似、局域浓度近似(LDA)及微扰等方法计算了GaN和ZnO材料的能带结构及直接跃迁吸收边的性能,并定量地研究了成份偏离对其的影响。
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Abdulmalik A. Madigawa, Jan N. Donges, Benedek Gaal,Shulun Li, Martin Arentoft Jacobsen,Hanqing Liu,Deyan Dai, Xiangbin Su,Xiangjun Shang,Haiqiao Ni,Johannes Schall,Sven Rodt,
ACS PHOTONICSno. 3 (2024): 1012-1023
APPLIED PHYSICS LETTERSno. 4 (2024)
Hongguang Yu,Chengao Yang, Yihang Chen,Tianfang Wang, Jianmei Shi, Juntian Cao, Zhengqi Geng,Zhiyuan Wang, Yu Zhang,Yingqiang Xu, Haiqiao Ni,Zhichuan Niu
DISCOVER NANOno. 1 (2024)
Nature Photonicspp.1-7, (2024)
Hongguang Yu,Chengao Yang,Yihang Chen,Tianfang Wang,Jianmei Shi, Juntian Cao, Zhengqi Geng,Zhiyuan Wang,Yu Zhang,Yingqiang Xu,Haiqiao Ni,Zhichuan Niu
Discover Nanono. 1 (2024): 1-8
APPLIED SCIENCES-BASELno. 9 (2023): 5506-5506
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Crystalsno. 10 (2023): 1417-1417
Bang Wu, Xi-Jie Wang,Li Liu,Guoqi Huang,Wenyan Wang,Hanqing Liu,Haiqiao Ni,Zhichuan Niu,Zhiliang Yuan
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