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Interpretation Of Leakage Current In Ni/N-(Ai)Gan Schottky Structures And Its Influence On Surface Preparation Conditions
T Sawada, S Yoneta,N Kimura, K Imai, K Suzuki,Sw Kim, T Suzuki
COMPOUND SEMICONDUCTORS 2004, PROCEEDINGS (2005)
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Enhanced magnetoresistance in Co/Cu multilayers due to the insertion of Ni layers
K Tanahashi, T Endo, T Sugimoto, T Sasaki, S Shinriki, A Kanemoto, M Eguti, K Motoi,K Imai,K Suzuki,T Sawada,N Kimura
ELECTROCHEMICAL SOCIETY SERIESno. 27 (2003): 450-458
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Influence Of Inhomogeneous Barrier On I-V Characteristics Of Metal/Gan Schottky
T Sawada, Y Ito,N Kimura, K Imai, K Suzuki, S Sakai
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS (2000)
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Doping-Induced Defects Of Cd1-Xznxte Grown From Te Solution
K Suzuki, K Inagaki,N Kimura, I Tsubono, T Sawada,K Imai, S Seto
Physica status solidino. 1 (1995): 203-210
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