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Investigation of BPD Faulting under Extreme Carrier Injection in Room Vs High Temperature Implanted 3.3kv SiC MOSFETs
Nadeemullah A. Mahadik,Michael E. Liao,Michael A. Mastro,Elias Kallon,Robert E. Stahlbush,Jake Soto, B. Odekirk
Defect and diffusion forum/Diffusion and defect data, solid state data Part A, Defect and diffusion forum (2024): 105-110
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(Invited) Expansion Behavior of Single BPD Loop Causing Stacking Fault Multiplication in 180 Μm Thick 4H-Sic Epitaxial Layers
Nadeemullah Mahadik, David A Scheiman, Jeff A Mittereder,Robert E Stahlbush, Youngsang Kim, Michael W Owen, Zeyu Chen, Balaji Raghothamachar, Michael Dudley
ECS Meeting Abstractsno. 36 (2024): 2521-2521
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Mechanism of Novel Defect Multiplication Impacting High Power 4H-Sic Devices
N. A. Mahadik,M. Dudley,B. Raghothamachar, Z. Chen, R. E. Stahlbush, M. Hinojosa, A. Lelis, W. Sung
MATERIALS & DESIGN (2024)
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