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Image analysis development for optimization of 4H–SiC trench recovery treatment by combination of gas etching and sacrificial oxidation approaches
M. Barcellona, P. Badalà, M. Boscaglia, M. Cantiano, D. Mello, E. Ferlito, M.D. Pirnaci, D. Tenaglia,M.E. Fragalà
Materials Science in Semiconductor Processing (2024): 108216
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Hydrogen depth profiling and multi-energy proton implantation: SIMS as a tool for implant process control
Orazio Samperi,Lasse Vines, Mario Pietro Bertolini, Massimiliano Cantiano, Salvo Coffa,Maria Elena Fragalà
Materials Science in Semiconductor Processing (2024): 108219
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Differences in HF Wet Etching Resistance of PECVD SiNx:H thin films
Matteo Barcellona,Orazio Samperi, Davide Russo, Anna Battaglia, Dirk Fischer,Maria Elena Fragalà
Materials Chemistry and Physics (2023): 128023-128023
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