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HSQ Lithography for Nanowire First Integration: an Interesting Alternative for Gate Last Fabrication of Sub-7nm Stacked Nanowire FETs
L Gaben, S Pauliac,JA Dallery, J Bustos, R Dechanoz, B Hemard
user-618b9107e554220b8f25959d（2016）
引用1浏览0引用
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Stacked-Nanowires and FinFET Transistors: Guidelines fo the 7nm Technology
L Gaben,S Barraud, MA Jaud, S Martinie,O Rozeau, J Lacord,G Hiblot
user-618b9107e554220b8f25959d（2015）
引用0浏览0引用
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Ω-Gate Nanowire Transistors Realized by Sidewall Image Transfer Patterning: 35nm Channel Pitch and Opportunities for Stacked-Nanowires Architectures
L. Gaben,S. Barraud, P. Pimenta-Barros,Y. Morand, J. Pradelles,M.P. Samson, B. Previtali, P. Besson, F. Alain,S. Monfray,F. Boeuf,T. Skotnicki,
Extended Abstracts of the 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (2015)
引用8浏览0引用
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Stacked-Nanowire and FinFET Transistors: Guidelines for the 7nm Node
L. Gaben, S. Barraud, M.A. Jaud, S. Martinie, O. Rozeau, J. Lacord,G. Hiblot, S. Monfray, F. Boeuf, T. Skotnicki, F. Balestra, M. Vinet
Extended Abstracts of the 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (2015)
引用6浏览0引用
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P-type trigate nano wires: Impact of nano wire thickness and Si0.7Ge0.3 source-drain epitaxy
Gaben, L.,Barraud, S., Samson, M.-P.,Hartmann, J.-M.
Ultimate Integration Siliconpp.13-16, (2015)
引用0浏览0EIWOS引用
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